彭宏伟
中国电子科技集团第五十八研究所
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领域:无线电电子学;
发文量: 近五年发文量趋势图 >>
关注领域
器件
PMOS
TCAD
双峰
KINK
沟道
跨导
NMOS
KINK效应
VDMOS
光刻胶
沟道长度
简化电路模型
SOI
空穴
建模
掩模
电离电流
剂量辐照
漏电阻
研究成果
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