顾祥
中国电子科技集团第二十四研究所
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H指数
6
G指数
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领域:无线电电子学;
基金: 国家自然科学基金;北京市自然科学基金;江苏省自然科学基金;
发文量: 近五年发文量趋势图 >>
关注领域
硅膜
阈值电压
器件
总剂量
绝缘体上硅
SOI
抗辐射加固
有源区
漏极
漂移区
制造方法
氧化层
沟道
TCAD
LDMOS
击穿电压
集成电路技术
淀积
介质隔离
埋层
研究成果
总发文量:39 总下载量:3140
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