超精密减薄磨削加工是半导体硅晶圆制造的关键工艺环节之一。然而，亚表面裂纹、残余应力和微结构的晶格畸变是减薄磨削产生的主要损伤缺陷。通过硅晶圆的减薄磨削，研究等效应变和残余应力的分布，评价磨削损伤。首先，分别建立球形和三棱锥单颗粒金刚石磨削硅晶圆的分子...