单层的铁电半导体Ga_2S_3因具有卓越的延展性,极高的载流子迁移率以及独特的面外非对称极化特性而备受关注.利用铁电半导体Ga_2S_3面外非对称极化特性,本研究构建了T-NbTte_2/Ga_2S_3铁电异质结,并选用了两个能量最稳定且Ga_2S_3极化强度方向不同的异质结PD1 (P_↓)和PU2 (P_↑),对其结构稳定性和电接触性质进行相关研究.结果表明,由于Ga_2S_3极化强度方向的不同,本征态下的异质结PD1和PU2分别形成了N型肖特基接触和P型肖特基接触.改变铁电半导体Ga_2S_3的极化特性,能改变铁电异质结T-NbTe_2/Ga_2S_3肖特基势垒的接触类型,这为设计多功能的肖特基器件提供了一种实用的方法.对于异质结PD1和PU2,施加外加正电场或者双轴应变拉伸,都能够有效地实现肖特基接触至欧姆接触的转变.这些结果为高性能电接触界面的二维铁电纳米器件提供了理论参考.