针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性，通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响，以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素，提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方法通过引入不...