磁光阱技术通过激发σ+和σ-跃迁实现对原子的囚禁。然而，在传统的光栅磁光阱中，由于原子所受的力场分布不均匀，且0级光的偏振误差对原子的受力产生影响，存在一定的局限性。为了解决这些问题，提出了一种新型光栅芯片的设计方法。该芯片内部集成了1/4波片反射镜...