[001]取向铌酸银单晶的电学与光学性能研究
铌酸银(AgNbO_(3),AN)作为高性能无铅反铁电材料,在光电器件领域具有巨大潜力。本工作采用AgCl作助溶剂成功生长出高质量AN单晶,并以其[001]取向作为研究对象。结果表明:该取向单晶在200 kV/cm电场下储能密度(W_(rec))达 ...
硅酸盐学报
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