碳化硅功率器件凭借其优异的理论性能，成为传统硅器件有力的竞争者。然而，在封装过程中，因键合线以及引出端子等引入的额外寄生电感，致使封装后的碳化硅功率模块会产生较大的开关过冲与振荡，进而难以发挥其优越的理论性能。为此，该文提出一种具有极低电感的多芯片整体式Clip互连碳化硅功率模块封装方法，将功率模块内部键合铝线替换成Clip互连，并通过规划陶瓷基板布局，使Clip电流流向与陶瓷基板线路电流相反，利用电流反向耦合效应降低功率模块内部寄生电感。同时，利用电容直连结构消除外部回路寄生电感。经仿真得到的功率模块内部寄生电感为3.8 nH，功率回路电感为5.0 nH。实验测试得到1 200 V/600 A样机功率回路电感为4.53 nH，换流回路总电感5.87 nH，与传统布局功率模块相比电感降低了44.6%。