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4H-SiC衬底上Ti/TiN/Pt电极的高温性能研究
毕节市大数据产业发展中心
|
杨荣森
杜玉玲
开通知网号
将4H-SiC衬底上的Ti/TiN/Pt电极样品在800℃真空环境下退火20 min,形成欧姆接触,再分别在600℃、700℃、800℃、900℃下老化1 h和在600℃下分别老化1 h、2 h、4 h、8 h,通过测试电极的比接触电阻、表面形貌和元...
机 构:
毕节市大数据产业发展中心;
领 域:
无线电电子学;
关键词:
碳化硅;
欧姆电极;
比接触电阻;
互扩散;
格 式:
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